S DP / B 55N02
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
-50 -25
0
25 50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.06
1.04
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
-50 -25
I
D
=250uA
4
0
25
50
75 100 125 150
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
50
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
50
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
40
30
20
V
DS
=10V
10
0
0
10
20
30
40
10
1.0
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前ç （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管˚F orward V oltage （ V）
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
10
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
60
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
I
D
，排水光凭目前Ç （A ）
8
6
4
2
0
0
3
V
DS
=10V
I
D
=30A
10
R
D
S
(
)
ON
升IM
it
1m
10
10
0m
s
ms
10
0
μ
s
s
DC
1
0.1
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
1
10
30
60
6
9
12
15
18
21
24
QG ，T otal摹吃ç哈耶（ NC）
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
˚F igure 9.摹吃Ç哈耶
4
˚F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
