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    SDB55N02 参数 Datasheet PDF下载

    SDB55N02图片预览
    型号： SDB55N02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道é nhancement模式域E ffect晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 479 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号SDB55N02的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SDB55N02的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SDB55N02的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SDB55N02的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SDB55N02的Datasheet PDF文件第6页  
    S DP / B 55N02
    Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
    C
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    关煤焦ACTE R是TICS
    漏-S环境允许的击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    BV
    DS S
    I
    DS S
    I
    GS S
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    为s
    C
    OS s
    C
    RSS
    b
    S ymbol
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250uA
    V
    DS
    = 16V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 8V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 21A
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 26A
    最小典型最大单位
    20
    10
    V
    uA
    100 nA的
    0.9
    1
    14
    40
    53
    1100
    600
    180
    1.5
    19
    V
    兆欧
    C
    4
    对煤焦ACTE R是TICS
    a
    栅极阈值电压
    漏-S环境允许在-S大老ř esistance
    在-S大老漏电流
    正向跨导
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    动态煤焦ACTE R是TICS
    b
    输入电容
    输出电容
    ř EVERSE传输电容
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    S迷惑煤焦ACTE R是TICS
    导通延迟时间
    ř ISE时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    门-S环境允许充电
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    DD
    = 10V,
    I
    D
    = 1A,
    V
    GS
    = 10V
    R
    GE ñ
    = 6
    欧姆
    50
    62.5
    200
    89
    18.2
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 30A,
    V
    GS
    =4.5V
    2
    5.3
    2.2

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