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SDB55N02 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SDB55N02
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内容描述: N沟道é nhancement模式域E ffect晶体管 [N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 479 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S DP / B 55N02
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
C
= 25°C除非另有说明)
4
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 26A
最小典型最大单位
0.9
1.3
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
a
笔记
a.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计b.Guaranteed ,不受生产测试。
80
70
75
-55 C
60
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
60
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
45
30
25 C
V
的s
=3V
15
T
J
=125 C
0
0
1
2
3
4
5
6
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
3000
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
1.60
R
DS ( ON)
归一化
漏-S环境允许在-R es是tance
2500
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
I
D
=26A
V
的s
=10V
C,C apacitance (PF )
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
C为S
Ç OS s
Ç RS s
0.40
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance变化
随温度
3