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STU9916L 参数 Datasheet PDF下载

STU9916L图片预览
型号: STU9916L
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 899 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D9916L  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T =25 C unless otherwise noted)  
C
Typ Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S = 0V, I = 250uA  
D
Drain-S ource Breakdown Voltage  
30  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS = 24V, VGS = 0V  
20V, VDS = 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
G S  
=
100  
a
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
0.7  
20  
1.0  
1.5  
V
G ate Threshold Voltage  
V
V
DS = VG S , I  
D
= 250uA  
=20A  
G S = 10V, I  
D
m ohm  
m ohm  
30  
40  
25  
35  
R
DS (ON)  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
V
G S = 4.5V, I  
D
= 20A  
V
V
DS = 10V, VG S = 10V  
= 20A  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
10  
Forward Transconductance  
DS = 10V, I  
D
b
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
813  
127  
98  
821  
130  
104  
V
Ds =25V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
f = 1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S b  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
22.1  
11.4  
28.9  
18.7  
29  
12  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
V
DD = 15V,  
=1A,  
G S = 10V,  
I
D
R ise Time  
tr  
V
Turn-Off Delay Time  
Fall time  
tD(OFF)  
31  
22  
R L = 15 ohm  
R G S = 11 ohm  
tf  
V
V
DD = 15V,I  
DS = 15V,I  
D
D
= 20A,VG S =10V  
= 20A,VG S =4.5V  
18.7  
9.3  
20  
10  
Q
g
Total G ate C harge  
nC  
nC  
nC  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
3.9  
4
4
V
DD = 15V, I  
D
= 20A,  
R L=0.75 ohm  
gd  
3.2  
2
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