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STS3621 参数 Datasheet PDF下载

STS3621图片预览
型号: STS3621
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 195 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TS 3621  
1.15  
1.10  
1.6  
VDS =VG S  
ID=-250uA  
1.4  
ID=-250uA  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
0.85  
0.4  
0.2  
6
0
-50  
25 50  
-25  
125 150  
75 100  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
Tj, Junction Temperature ( C )  
Tj, Junction Temperature ( C )  
Figure 6. Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
Figure 5. G ate Threshold Variation  
with Temperature  
240  
20.0  
ID=-2A  
200  
10.0  
5.0  
160  
75 C  
125 C  
120  
80  
25 C  
125 C  
25 C  
40  
0
75 C  
0.8  
S D, Body Diode Forward Voltage (V)  
1.0  
0
2
4
6
8
10  
0
0.4  
1.2  
1.6  
2.0  
VGS , Gate-S ource Voltage (V)  
V
Figure 7. On-R esistance vs.  
Gate-S ource Voltage  
Figure 8. Body Diode Forward Voltage  
Variation with S ource C urrent  
8
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