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STM4963 参数 Datasheet PDF下载

STM4963图片预览
型号: STM4963
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内容描述: 双P信道E nhancement模式场效应晶体管 [Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 544 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM4963  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
=
Typ C Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
5
V
G S 0V, I  
=
D -250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
-30  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS -24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
-1  
=
=
G S  
20V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
-1.5  
-2.5  
V
G S (th)  
-1  
V
G ate Threshold Voltage  
V
DS =VG S , I  
=
D
= -250uA  
=
m-ohm  
m-ohm  
45  
60  
35  
50  
V
V
V
V
G S -10V, I  
D
-5.8A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
G S = -4.5V, I  
D
= -2.0A  
DS = -5V, VG S = -10V  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
-20  
5
gFS  
Forward Transconductance  
=
DS -15V, I - 5.3A  
=
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
709  
176  
86  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =-15V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
19.2  
22.7  
83.5  
48.6  
18.7  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
V = -15V,  
D
I
V
R
D
= -1A,  
R ise Time  
tr  
G E N = - 10V,  
G E N = 6 -ohm  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
ns  
tf  
ns  
V
V
DS =-15V, I  
DS =-15V, I  
D
D
=-5.3A,VG S =-10V  
=-5.3A,VG S =-4.5V  
nC  
nC  
nC  
nC  
Q
g
Total G ate C harge  
9.6  
3.7  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
Q
Q
gs  
V
V
DS =-15V, I  
G S =-10V  
D
= -5.3A,  
gd  
3.7  
2
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