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STM4952 参数 Datasheet PDF下载

STM4952图片预览
型号: STM4952
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内容描述: 双P信道E nhancement模式场效应晶体管 [Dual P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 654 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM4952  
E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
=
Typ C Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D -250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
-20  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS -16V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
-1  
=
=
G S  
12V, VDS 0V  
=
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
-0.85 -1.5  
-0.6  
-20  
V
G S (th)  
V
G ate Threshold Voltage  
V
V
V
DS =VG S , I  
D
= -250uA  
=
m-ohm  
50  
80  
=
G S -4.5V, I  
D
D
-5A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
m-ohm  
G S = -2.5V, I  
= -3A  
V
V
DS = -5V, VG S = -4.5V  
DS -15V, I - 4.9A  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
D
8
Forward Transconductance  
=
=
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
994  
P
P
P
F
F
F
C
IS S  
V
DS =-10V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
181  
106  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
12  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
V
R
D
L
= -10V,  
=10 ohm  
R ise Time  
tr  
7.3  
I
D
= -1A,  
G E N = -4.5V,  
G E N = 10 ohm  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
81.4  
33.2  
9.5  
V
R
tf  
Q
g
Total G ate C harge  
V
V
DS =-10V, I  
G S =-4.5V  
D
= - 1A,  
G ate-S ource C harge  
Q
Q
gs  
1.7  
1.8  
nC  
nC  
G ate-Drain C harge  
gd  
2
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