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STM4532 参数 Datasheet PDF下载

STM4532图片预览
型号: STM4532
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内容描述: 双ê nhancement模式场效应晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 908 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TM4532  
=
N-C hannel E LE C T R IC AL C HAR AC T E R IS T IC S (T  
A
25 C unless otherwise noted)  
Typ C Max  
P arameter  
C ondition  
Min  
30  
Unit  
S ymbol  
OFF C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S 0V, I  
=
D 250uA  
=
Drain-S ource Breakdown Voltage  
V
BVDS S  
uA  
nA  
I
I
DS S  
G S S  
V
V
DS 24V, VG S 0V  
Zero G ate Voltage Drain C urrent  
G ate-Body Leakage  
1
=
=
=
20V, VDS 0V  
G S  
100  
=
b
ON C HAR AC TE R IS TIC S  
V
G S (th)  
0.8  
V
G ate Threshold Voltage  
V
DS =VG S , I  
D
= 250uA  
1.8  
40  
m ohm  
28  
40  
=
=
V
V
V
V
G S 10V, I  
D
6A  
Drain-S ource On-S tate R esistance  
R
DS (ON)  
50  
G S =4.5V, I  
D
= 5.2A  
m ohm  
15  
6
DS = 5V, VG S = 10V  
On-S tate Drain C urrent  
I
D(ON)  
A
S
gFS  
Forward Transconductance  
=
DS  
10V, I 6.0A  
=
D
c
DYNAMIC C HAR AC TE R IS TIC S  
Input C apacitance  
P
P
P
F
F
F
510  
C
IS S  
V
DS =8V, VG S = 0V  
Output C apacitance  
C
C
OS S  
R S S  
155  
127  
f =1.0MH  
Z
R everse Transfer C apacitance  
S WITC HING C HAR AC TE R IS TIC S c  
15.6  
9.7  
Turn-On Delay Time  
t
D(ON)  
ns  
ns  
V
DD = 10V,  
= 1A,  
G E N = 4.5V,  
I
D
R ise Time  
tr  
V
R
R
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(OFF)  
ohm  
ns  
ns  
nC  
26.3  
26.9  
9.3  
L
= 10  
ohm  
G E N = 6  
tf  
Q
g
Total G ate C harge  
G ate-S ource C harge  
G ate-Drain C harge  
V
V
DS =10V, I  
G S =4.5V  
D
= 6A,  
Q
Q
gs  
2.5  
nC  
nC  
gd  
3.2  
2
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