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ST426S 参数 Datasheet PDF下载

ST426S图片预览
型号: ST426S
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内容描述: N沟道逻辑E级nhancement模式F屈服ê ffect晶体管 [N-Channel Logic Level E nhancement Mode F ield E ffect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 175 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S TU/D426S  
1.15  
1.10  
1.3  
V
DS =VG S  
ID=250uA  
1.2  
I
D=250uA  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
1.05  
1.00  
0.95  
0.90  
0.85  
0.7  
0.6  
6
0
-50  
25 50  
-25  
125 150  
75 100  
-50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
Tj, J unction Temperature ( C )  
Tj, J unction Temperature ( C )  
Figure 6. Breakdown Voltage Variation  
with Temperature  
Figure 5. G ate Threshold Variation  
with Temperature  
30  
20.0  
ID=9A  
25  
20  
10.0  
5.0  
75 C  
15  
10  
125 C  
75 C  
125 C  
25 C  
5
0
25 C  
1.0  
0
2
4
6
8
10  
0.72  
0.96  
1.2  
0.24  
0.48  
0
VGS , Gate- S ource Voltage (V)  
V
S D, Body Diode Forward Voltage (V)  
Figure 7. On-R esistance vs.  
Gate-S ource Voltage  
Figure 8. Body Diode Forward Voltage  
Variation with S ource C urrent  
4