2002年9月3日版。 0.0
三菱的LSI
M5M5W817KT - 70HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16 - BIT / 10485776 -字×8位）的CMOS静态RAM
绝对最大额定值
符号
参数
电源V oltage
输入电压
输出电压V oltage
功耗
工作温度
储存温度
条件
相对于GND
相对于GND
相对于GND
TA = 25°C
评级
单位
VCC
V
I
V
O
P
d
T
a
T
英镑
- 0.3
*
~ +4.6
- 0.3
*
〜 VCC + 0.3 （最大4.6V ）
0 〜 Vcc的
700
-40 ~ +85
- 65 ~ +150
V
mW
ºC
ºC
* -3.0V的情况下交流（脉冲宽度为30ns < ）
=
DC电气特性
符号
（ TA = -40 〜 85℃ ，VCC = 2.7V 〜 3.6V ，除非另有说明）
条件
范围
民
2.2
TY P
最大
Vcc+0.2V
单位
参数
高列弗EL输入电压
低列弗EL输入电压
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I
I
O
ICC
1
ICC
2
I
OH
= - 0.5毫安
低列弗EL输出电压V oltage
I
OL
= 2.0毫安
输入漏电流
V
I
=0
~
VCC
高电平输出电压
- 0.2 *
2.4
0.6
0.4
±1
±1
50
15
50
15
5
8
20
40
2.0
V
输出漏电流
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， MOS列弗EL）
ACTIV ê供应C光凭目前
（ AC ， TTL列弗EL）
µA
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL或OE ＃ = VIH ， VI / O = 0 〜 Vcc的
＃ BC1和BC2 ＃ < 0.2V ， S1 ＃ < 0.2V ， S2 >Vcc - 0.2V
其他输入< 0.2V或> VCC- 0.2V
输出 - 开（占空比100 ％ ）
F = 10MHz时
F = 1MHz的
F = 10MHz时
F = 1MHz的
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
＃ BC1和BC2 ＃ = V
IL
， S1 ＃ = V
IL
,S2=V
IH
其它引脚= V
IH或
V
IL
输出 - 开（占空比100 ％ ）
(1)
S1 ＃ >为VCC - 0.2V和S2 >为VCC - 0.2V ，
BYTE ＃ >为VCC - 0.2V或0.2V < ，
其他输入= 0 〜 Vcc的
(2)
S2 < 0.2V ，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5
30
5
1.0
1.2
-
-
-
mA
ICC
3
站在由s upply电流
（ AC ， MOS列弗EL）
BYTE ＃ >为VCC - 0.2V或0.2V < ，
其他输入= 0 〜 Vcc的
(3)
＃ BC1和BC2 ＃ >为VCC - 0.2V
S1 ＃ < 0.2V ， S2 >为VCC - 0.2V
BYTE ＃ >为VCC - 0.2V或0.2V < ，
其他输入= 0 〜 Vcc的
µA
ICC
4
站在由s upply电流
（ AC ， TTL列弗EL）
＃ BC1和BC2 ＃ = VIH或S1 ＃ = VIH或S2 = VIL
BYTE ＃ >为VCC - 0.2V或0.2V < ，
其他输入= 0 〜 Vcc的
mA
＆ LT ;
=
30ns)
注3 ：方向为电流流入集成电路被表示为阳性（无标记）
注4 ：典型参数指示分布在3.0V的中心值，而不是100 ％测试。
* -1.0V的情况下交流（脉冲宽度
电容
（ TA = -40 〜 + 85℃ ，VCC = 2.7V 〜 3.6V ，除非另有说明）
符号
参数
输入电容
输出电容
条件
民
V
I
= GND ，V
I
= 25mVrms ， F = 1MHz的
V
O
=
GND ，V
O
= 25mVrms ， F = 1MHz的
范围
TY P
最大
单位
C
I
C
O
10
10
pF
4
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
