2002年9月3日版。 0.0
三菱的LSI
M5M5W817KT - 70HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16 - BIT / 10485776 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5W817KT是低V oltage 8Mbit的静态RAM的AF艾米莉逃不脱
组织为524288字×16位/ 1048576字由8位，
˚F abricated通过
三菱高的性能有所采用0.18μm CMOS
技术。
该M5M5W817KT适合F或内存的应用程序，其中一个
简单INTERF acing ，电池的使用和备用电池是
重要的设计objectiv上课。
该M5M5W817KT打包在一个52pin - μTSOP与大纲
的10.79毫米X 10.49毫米，并0.40毫米引脚间距。它GIV上课了
最佳解决方案F或米ounting区域的压实以及
的印刷电路板的布线图f lexibility 。
工作温度范围为-40 〜 + 85°C
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特点
单2.7 〜 3.6V电源
小的待机电流： （ 2.0V ， TY P） 0.1μA
没有时钟，没有裁判RESH
数据保持电源V oltage = 2.0 〜 3.6V
所有的输入和输出为TTL兼容。
由S1 ＃ ， S2 ， ＃ BC1和BC2 ＃易于扩展内存
通用数据的I / O
三态输出：或领带的能力
在I / O总线OE上一个经济需求测试数据争
由TE ˚F油膏（ x8模式） AV ailable由TE ＃ & A- 1 。
工艺技术：采用0.18μm CMOS
包装： 52pin 10.79毫米X 10.49毫米μTSOP
[ 0.4毫米引脚间距]
操作
温度
部件名称
动力
访问时间·皮卡尔泰
额定值（最大值）
供应
马克斯。
25ºC 40ºC 25ºC 40ºC 70ºC 85ºC
70ns
1.0
1.2
5
8
20
40
待机光凭目前ç
Icc1
（ 3.3V ，泰页）
30mA
(10MHz)
5mA
(1MHz)
活跃
当前
-40 ~ +85°C
M5M5W817KT -70HI 2.7 〜 3.6V
引脚配置
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
S1#
W#
NC
NC
VCC
S2
NC
NC
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
A16
BYTE ＃
BC2#
GND
*典型参数表示为中心的值
分布，而不是100 ％测试。
BC1#
DQ16/A-1
DQ8
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
NC
DQ12
DQ4
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
OE ＃
GND
NC
A0
针
A0 ~ A18
功能
地址输入
DQ1 〜 DQ16数据输入/输出
片选输入1
S1#
S2
W#
OE ＃
BC1#
BC2#
BYTE ＃
VCC
GND
片选输入2
写控制输入
输出使能输入
低TE （ DQ1 〜 8 ）
上到TE （ DQ9 〜 16 ）
由TE （ x8模式）使能输入
电源
供应地
10.49mm
概要：
52PTG-A
N c个：无连接
1
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
