2002年9月3日版。 0.0
三菱的LSI
M5M5W817KT - 70HI
8388608 - BIT （ 524288 - WORD 16 - BIT / 10485776 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5W817KT由16组织为524288字
位/ 1048576字由8位。这些冰开发上进行操作
单+ 2.7 〜 3.6V的电源，并直接TTL
兼容于输入和输出。它的F ully静电电路
不需要时钟，也没有裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
神舟冰控制输入＃ BC1 ， BC2 ＃ ， ＃ S1 ，S2 ， W＃ ，
OE ＃和BY TE ＃ 。对每种模式进行总结的F油膏
表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W＃
半岛erlaps与低利埃尔BC1 ＃和/或BC2 ＃和低
列夫·埃尔S1 ＃和高列弗EL S2。地址（ A- 1 〜 A18 ：
由TE模式， A0 〜 A18 ：字模式）必须设置BEF矿
写CY Ç文件，并且必须在整个CY CLE期间是稳定的。
读操作是由s埃坦W＃在一个较高的执行
列夫·埃尔和OE ＃在低列弗EL同时BC1 ＃和/或BC2 ＃和
S1 ＃ 1和S 2是在一个ACTIV E状态（S1 ＃ = L ，S2 = H）。
当设置BYTE ＃处于较低列弗EL的F油膏会
在x8的MEDE ，这一点， DQ1-8是影音ailable和DQ9-16
是不是AV ailable 。在x8模式中，A -1被用作
其他地址。在ACTIV ê ˚F恩膏F或x8模式，
BC1 BC2 ＃ ＃要低列弗报。
当设置＃ BC1和BC2 ＃在一个较高的利EL或S1 ＃在
高利埃尔或S2处于较低利埃尔，该芯片是一个非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。
在这种模式下，输出级处于高阻抗状态，
允许或领带与其他芯片和内存扩张
＃ BC1 ， BC2 ＃和＃ S1 ，S2 。
电源供应C光凭目前减少低至0.1μA
（25℃ ，一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2.0V举行
电源时，使备用电池操作
在非选择的能力F ailure或掉电操作
模式。
功能表
S1#
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S2
H
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BYTE ＃ BC1 BC2 ＃ ＃
H或L
H或L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
X
X
H
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
W#
X
X
X
L
H
H
L
H
H
L
H
H
L
H
H
OE ＃
X
X
X
X
L
H
X
L
X
X
L
X
X
L
H
模式
非选择
非选择
非选择
写
读
-------
写
读
-------
写
读
-------
写
读
-------
DQ1 〜 8 DQ9 〜 15
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
A-1
A-1
A-1
ICC
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注1 ： "H"和"L"本表中的意思是V
IH
和V
白细胞介素，
respectiv伊利。
注2 ： "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
2
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
