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M5M5W817KT-70HI 参数 Datasheet PDF下载

M5M5W817KT-70HI图片预览
型号: M5M5W817KT-70HI
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内容描述: 8388608 - BIT ( 524288 - WORD 16 - BIT / 10485776 -字×8位)的CMOS静态RAM [8388608-BIT (524288-WORD BY 16-BIT / 10485776-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 149 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2002年9月3日版。 0.0
三菱的LSI
M5M5W817KT - 70HI
8388608 - BIT ( 524288 - WORD 16 - BIT / 10485776 -字×8位)的CMOS静态RAM
省电特性
( 1 )电气特性
( TA = -40 〜 85℃ , VCC = 2.7V 〜 3.6V ,除非另有说明)
符号
VCC
参数
测试条件
范围
TY P
最大
单位
V
V
V
(PD)的
掉电电源电压
字节控制输入
BC1 # & # BC2
2.0
2.0
2.0
0.2
Vcc=2.0V
( 1 ) S1 # >为VCC - 0.2V , BYTE # >为VCC - 0.2V或0.2V <
其他输入= 0 〜 Vcc的
( 2 ) S2 < 0.2V , BYTE # >为VCC - 0.2V或0.2V <
其他输入= 0 〜 Vcc的
( 3 ) # BC1和BC2 # >为VCC - 0.2V
S1 # < 0.2V , S2 >为VCC - 0.2V
BYTE # >为VCC - 0.2V或0.2V <
其他输入= 0 〜 Vcc的
V
我( BC)
V
我( S1 # )
V
我(S2)的
片选输入端S1 #
片选输入S2
~ +25°C
~ +40°C
~ +70°C
~ +85°C
-
-
-
-
0.2
0.4
-
-
3.0
6.0
30
60
µA
ICC
(PD)的
掉电
供应C光凭目前
( 2 )时序要求
符号
参数
掉电成立时间
掉电RECOV红霉素吨IME
注9 : ICC( PD )的典型参数表示的值
配送中心在2.0V ,而不是100 %测试。
测试条件
范围
TY P
最大
单位
ns
ms
t
SU( PD )
t
REC ( PD )
0
5
( 3 )时序图
BC #控制模式
VCC
注10 :
在BC #控制模式下, S1 #列弗E1和S2必须为F ixed
在S1 # , S2 > VCC- 0.2V或S2 <0.2V
t
SU( PD )
2.2V
BC1#
BC2#
S1 #控制模式
VCC
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V
# BC1 , BC2 # >为VCC - 0.2V
注11 :
在S1 #控制模式, S2的列夫·埃尔必须为F ixed
在S2 > VCC- 0.2V或S2 <0.2V
t
SU( PD )
2.2V
S1#
S2控制模式
VCC
S2
0.2V
t
SU( PD )
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
2.2V
S1 # >为VCC - 0.2V
2.7V
2.7V
t
REC ( PD )
0.2V
S2 < 0.2V
9