瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5256DFP的操作模式中， VP为
通过的dev的冰的控制输入的组合来确定
/ S / W和/ OE 。对每种模式进行总结的F油膏
表。
在执行写CY第一百whenev呃低列弗EL / W
OV erlaps与低列弗EL / S 。该地址必须设置
向上BEF矿石写赛扬第一百且必须在稳定
整个CY CLE 。该数据被锁存到尾部的小区
/ w的边缘/ S， whichev呃发生开始步骤，要求设定
建立和保持时间relativ E要将这些优势来维持。
输出使能/ OE直接控制输出级。
设置/ OE在一个较高的利埃尔，输出级是在一个
高阻抗状态，并在数据总线争用
在写入立方码第一百问题被消除。
一个读CY CLE是在高温列弗EL设置/ W执行
和/ OE在低列弗EL ，而/ S处于ACTIV E状态。
当以高的利埃尔设定/ S，则芯片是在非
可选的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级是在高
阻抗状态，允许或领带与其他芯片和
通过/ S的内存扩展。的电源电流为
减小低至待机电流是注明：灭蝇灯
作为ICC3或ICC4 ，并且存储器的数据可在保持
+ 2V电源，使电池备份操作
期间在所述非能力F ailure或掉电操作
选择的模式。
功能表
/S
H
L
L
L
/W
X
L
H
/ OE
X
X
L
模式
非选择
写
读
DQ
高阻抗
D
IN
D
OUT
ICC
待用
ACTIV ê
ACTIV ê
高阻抗
ACTIV ê
H
H
注意• "H"和"L"在此表中的意思是VIH和VIL ， respectiv伊利。
•本表"X"应该是"H"或"L" 。
框图
A8
A 13
A 14
A 12
A7
A6
A5
A4
地址
输入
A3
25
26
1
2
2
3
4
5
6
7
（ 512行×
17
512列）
18
19
32768字
X 8BIT
11
12
13
15
16
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
数据I / O
A2
A1
A0
A 10
A 11
A9
写控制
INPUT / W
芯片选择
输入
/S
8
9
10
21
23
24
时钟
发电机
27
20
28
14
VCC
(5V)
GND
(0V)
OUTPUT ENABLE
/ OE
输入
22
2
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
