瑞萨的LSI
M5M5256DFP,VP-55LL,-70LL,-70LLI,
-55XL,-70XL
262144 - BIT （ 32768 -字×8位）的CMOS静态RAM
描述
该M5M5256DFP ， VP是262,144位CMOS静态RAM
由8位是用F abricated组织为32,768字
高的性能有所3多晶硅CMOS技术。利用
resistiv ë加载NMOS的细胞和CMOS周产生了高
密度和低功耗静态RAM 。待机电流小
足够的F或电池备份应用程序。它是理想的F或内存
SY茎需要简单INTERF王牌。
尤其是M5M5256DVP被包装在一个28引脚薄型小
外形封装。
引脚配置（顶视图）
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VCC
27
/W
26
A13
25
A8
24
A9
23
A11
22
/ OE
21
20
19
18
17
16
15
28
特征
TY PE
访问Oprating电源电流
时间温度活动唤醒中断ê待机
（最大）
（最大）
（最大）
55ns
DQ3
13
GND
14
概要
A10
/S
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
28P2W -C （ FP ）
M5M5256DFP,VP-55LL
M5M5256DFP,VP-70LL
0~70°C
70ns
20µA
（VCC = 5.5V ）
22
/ OE
23
A11
24
A9
25
A8
26
A13
27
/W
28
VCC
1
A14
2
A12
3
A7
4
A6
5
A5
6
A4
7
A3
M5M5256DFP,VP-70LLI
70ns
-40~85°C
50mA
（VCC = 5.5V ）
40µA
（VCC = 5.5V ）
M5M5256DVP
5µA
M5M5256DFP,VP-55XL
M5M5256DFP,VP-70XL
55ns
70ns
（VCC = 5.5V ）
0~70°C
0.05µA
（VCC = 3.0V ，
典型）
•单+ 5V电源
•没有时钟，没有裁判RESH
•在+ 2.0V电源数据保持
•直接TTL兼容：所有输入和输出
•三态输出：或领带的能力
• / OE上一个经济需求测试数据的I / O总线争
•通用数据的I / O
•电池备份功能
•低待机电流.......... 0.05μA （ TY页）
A10
21
/S
20
DQ8
19
DQ7
18
DQ6
17
DQ5
16
DQ4
15
GND
14
DQ3
13
DQ2
12
DQ1
11
A0
10
A1
9
A2
8
概要
28P2C -A （ VP）
包
M5M5256DFP
M5M5256DVP
： 28引脚450密耳SOP
2
： 28PIN 8× 13.4毫米TSOP
应用
小容量米埃默里单位
1
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
