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2SK2800 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2800
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2800
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
(A)
50
重复性雪崩能量ê
AR
(兆焦耳)
200
I
AP
= 40 A
V
DD
= 25 V
值班< 1 %
RG > 50
反向漏电流I
DR
40
10 V
30
5V
20
V
GS
= 0, –5 V
160
120
80
10
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
40
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch ( ° C)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θ
CH - C ( T) =
γ
秒( t)的
• θ
CH - C
θ
CH - C = 2.5 ° C / W ,TC = 25°C
PDM
PW
T
0.03
0.02
1
LSE
0.0
吨PU
ho
1s
D=
PW
T
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度
雪崩测试电路
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
PW (S )
雪崩波形
E
AR
=
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
( BR ) DSS
I
AP
Rg
D. U.牛逼
V
DD
V
DS
I
D
VIN
15 V
50
0
V
DD
Rev.9.00 2005年9月7日第5 7