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2SK2800 参数 Datasheet PDF下载

2SK2800图片预览
型号: 2SK2800
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 88 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK2800
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
y
fs
(S)
0.05
脉冲测试
0.04
I
D
= 20 A
V
GS
= 4 V
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
正向转移导纳
与漏电流
100
50
TC = -25°C
0.03
10 A
20
10
5
75°C
25°C
0.02
50 A
10, 20 A
10 V
0.01
0
–40
2
1
1
2
5
10
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0
40
80
120
160
20
50
100
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1000
5000
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
反向恢复时间trr ( NS )
500
电容C (PF )
2000
1000
500
西塞
200
100
50
20
10
0.1
的di / dt = 50A /
µs
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.3
1
3
10
30
100
科斯
200
100
50
CRSS
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 40 A
V
DD
= 10 V
25 V
50 V
V
DS
开关特性
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
100
20
1000
300
100
30
10
3
1
0.1
tr
TD (上)
TD (关闭)
tf
60
V
GS
12
40
8
20
V
DD
= 50 V
25 V
10 V
4
0
40
开关时间t( NS )
80
16
V
GS
= 10 V,
V
DD
= 30 V
PW = 5
µs,
值班< 1 %
0
8
16
24
32
0.3
1
3
10
30
100
栅极电荷Qg ( NC )
漏电流I
D
(A)
Rev.9.00 2005年9月7日第4 7