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    2SK2800 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2800图片预览
    型号： 2SK2800
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
    文件页数/大小： 8 页 / 88 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2800的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK2800
    绝对最大额定值
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    漏电流峰值
    体漏二极管的反向漏电流
    雪崩电流
    雪崩能量
    散热通道
    通道温度
    储存温度
    注意事项： 1， PW
    ≤
    为10μs ，占空比
    ≤
    1 %
    2.价值在Tc = 25
    °
    C
    3.价值在总胆固醇= 25
    °
    C， RG
    ≥
    50Ω
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)Note1
    I
    DR
    I
    AP注3
    E
    AR注3
    PCH
    注2
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    60
    ±20
    40
    160
    40
    40
    137
    50
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    mJ
    W
    °
    C
    °
    C
    电气特性
    （ TA = 25°C ）
    项
    漏源击穿电压
    栅源击穿电压
    门源漏电流
    零栅极电压漏极电流
    门源截止电压
    静态漏源导通状态
    阻力
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    体漏二极管的正向电压
    体漏二极管的反向
    恢复时间
    注意：
    4.脉冲测试
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    （ BR ） GSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ OFF ）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    |y
    fs
    |
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DF
    t
    rr
    民
    60
    ±20
    —
    —
    1.5
    —
    —
    20
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    15
    25
    35
    1500
    720
    200
    20
    180
    200
    200
    0.95
    70
    最大
    —
    —
    ±10
    10
    2.5
    20
    40
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    mΩ
    mΩ
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    V
    测试条件
    I
    D
    = 10 mA时， V
    GS
    = 0
    I
    G
    =
    ±100 µA,
    V
    DS
    = 0
    V
    GS
    =
    ±16
    V, V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 60 V, V
    GS
    = 0
    I
    D
    = 1毫安， V
    DS
    = 10V
    I
    D
    = 20 A，V
    GS
    = 10V
    Note4
    I
    D
    = 20 A，V
    GS
    = 4 V
    Note4
    I
    D
    = 20 A，V
    DS
    = 10 V
    Note4
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0,
    F = 1 MHz的
    I
    D
    = 20 A，R
    L
    = 1.5
    Ω,
    V
    GS
    = 10 V
    I
    F
    = 40 A，V
    GS
    = 0
    I
    F
    = 40 A，V
    GS
    = 0
    di
    F
    / DT = 50 A / μs的
    Rev.9.00 2005年9月7日第2 7

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