2SK1835 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1835
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 105 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1835

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

= 15 V

0,–5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

TC = 25°C

1.0

0.3

0.2

0.1

θch

- C （T ） =

γS （T ） • θch

– c

θch

- C = 1.0 ° C / W ，TC = 25°C

1嘘

PUL

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

VIN

10 V

Ω

VIN

VOUT

10 %

波形

90 %

10 %

30 V

90 %

TD （上）

90 %

TD （关闭）

REJ03G0978-0400 Rev.4.00 2008年6月4日

分页： 5 6

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