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    2SK1835 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1835图片预览
    型号： 2SK1835
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 105 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1835的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1835
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    25
    脉冲测试
    V
    GS
    = 15 V
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    10
    5
    脉冲测试
    V
    DS
    = 20 V
    TC = -25°C
    20
    15
    I
    D
    = 3 A
    2
    25°C
    1
    75°C
    10
    2A
    1A
    0.5
    5
    0.2
    0.1
    0.05
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.1
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    5000
    10000
    漏电流I
    D
    (A)
    典型的电容比。
    漏源极电压
    反向恢复时间吨RR （ NS ）
    电容C （PF ）
    2000
    1000
    500
    的di / dt = 100 A /
    µ
    s
    V
    GS
    = 0 ， TA = 25℃
    西塞
    1000
    科斯
    200
    100
    5
    0.1
    100
    CRSS
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    10
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    1000
    20
    I
    D
    =4A
    开关特性
    1000
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    开关时间t（ NS ）
    800
    V
    GS
    16
    500
    TD （关
    )
    600
    V
    DS
    V
    DD
    = 600 V
    400 V
    250 V
    V
    DD
    = 600 V
    400 V
    250 V
    12
    200
    100
    50
    tr
    TD （上）
    tf
    400
    8
    200
    4
    20
    0
    40
    80
    120
    160
    0
    200
    10
    0.05 0.1
    V
    GS
    = 10V ，占空比
    PW = 5
    µ
    s
    1%
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    REJ03G0978-0400 Rev.4.00 2008年6月4日
    第4 6

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