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2SK1835 参数 Datasheet PDF下载

2SK1835图片预览
型号: 2SK1835
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 105 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1835
主要特点
功率与温度降额
200
50
30
10
最高安全工作区
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
150
10
1
m
µ
s
3
1
0.3
0.1
100
50
PW
=
O
10
pe
ra
m
TIO
s
(1
n
(T
sh
c
ot
=
)
25
°
C
操作在此
)
区域由限定
R
DS
(上)
D
s
0
10
µ
s
C
0
50
100
150
200
0.05
10
TA = 25°C
30
100
300
1000 3000 10000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
5
10 V
8V
6V
典型的传输特性
5
TC = -25°C
V
DS
= 20 V
4
脉冲测试
25°C
75°C
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
50
4
脉冲测试
3
5V
3
2
2
1
V
GS
= 4 V
1
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
25
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
V
GS
= 10 V
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
20
3A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
20
10
5
15
15 V
10
2A
2
1
0.5
0.2
5
I
D
= 1 A
0
4
8
12
16
20
0.5
1
2
5
10
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G0978-0400 Rev.4.00 2008年6月4日
第3页6