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    2SK1157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1157图片预览
    型号： 2SK1157
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1153 ， 2SK1154
    反向漏电流 -
    源极到漏极电压
    5
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    4
    脉冲测试
    3
    2
    1
    5 V, 10 V
    V
    GS
    = 0, –10 V
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    源极到漏极电压V
    SD
    (V)
    归瞬态热阻抗
    γ
    S
    (t)
    归瞬态热阻抗与脉冲宽度
    3
    D=1
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    1.0
    T
    C
    = 25°C
    0.1
    0.05
    0.02
    LSE
    0 . 0 1
    吨PU
    ho
    1S
    0.03
    θch -C （ T）
    =
    γ
    S
    (t)
    • θch -C
    θch -C
    = 4.17 ° C / W ，T
    C
    = 25°C
    P
    DM
    D = PW
    T
    PW
    T
    1m
    10 m
    100 m
    1
    10
    0.01
    10
    µ
    100
    µ
    脉冲宽度PW （S ）
    开关时间测试电路
    输入电压监视器
    VOUT监控
    D.U.T
    R
    L
    VOUT
    50
    Ω
    VIN = 10 V
    .
    V
    DD
    = 30 V
    .
    TD （上）
    VIN
    10 %
    波形
    90 %
    10 %
    90 %
    tr
    90 %
    TD （关闭）
    10 %
    tf
    Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

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