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    2SK1157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1157图片预览
    型号： 2SK1157
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1153 ， 2SK1154
    静态漏源导通状态
    电阻与温度
    5
    V
    GS
    = 10 V
    脉冲测试
    3A
    3
    2A
    I
    D
    = 1 A
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    正向转移导纳
    与漏电流
    正向转移导纳
    y
    fs
    (S)
    5
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    –25°C
    T
    C
    = 25°C
    4
    2
    1.0
    75°C
    0.5
    2
    0.2
    0.1
    1
    0
    –40
    0
    40
    80
    120
    160
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    案例温度T
    C
    (°C)
    体漏二极管反向
    恢复时间
    1,000
    1,000
    的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
    V
    GS
    = 0
    脉冲测试
    漏电流I
    D
    (A)
    典型电容
    与漏极至源极电压
    反向恢复时间trr （ NS ）
    500
    西塞
    电容C （PF ）
    200
    100
    50
    100
    科斯
    V
    GS
    = 0
    F = 1 MHz的
    10
    CRSS
    20
    10
    0.05
    1
    0.1
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    反向漏电流I
    DR
    (A)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    动态输入特性
    500
    20
    500
    开关特性
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    V
    GS
    = 10 V, V
    DD
    = 30 V
    PW = 2
    µs,
    税
    ≤
    1 %
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    V
    DD
    = 100 V
    250 V
    400
    V
    DS
    400 V
    16
    开关时间t（ NS ）
    200
    100
    50
    300
    V
    GS
    200
    V
    DD
    = 400 V
    250 V
    100 V
    4
    8
    12
    I
    D
    = 3 A
    12
    8
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    r
    t
    D（上）
    0.1
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    20
    10
    5
    0.05
    100
    4
    0
    16
    0
    20
    栅极电荷Qg （ NC ）
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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