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    2SK1157 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1157图片预览
    型号： 2SK1157
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1157的Datasheet PDF文件第7页  
    2SK1153 ， 2SK1154
    主要特点
    功率与温度降额
    60
    50
    20
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    漏电流I
    D
    (A)
    40
    10
    5
    2
    0.1
    0.5
    0.2
    0.01
    0.05
    20
    is
    10
    th
    0
    在泰德
    µ
    s
    onlimi
    )
    D
    i
    1
    AT是
    （上
    C
    r
    m
    O
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    DS
    s
    pe
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    TIO
    n
    (T
    C
    =
    25
    °
    C
    )
    TA = 25°C
    2SK1154
    2SK1153
    10
    µ
    s
    PW
    =
    10
    m
    s
    (1
    )
    ot
    sh
    0
    50
    100
    150
    1
    3
    10
    30
    100
    300
    1,000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    5
    脉冲测试
    10 V
    8V
    6V
    5.5 V
    5V
    5
    典型的传输特性
    –25°C
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    4
    4
    V
    DS
    = 10 V
    脉冲测试
    T
    C
    = 25°C
    3
    3
    75°C
    2
    2
    4.5 V
    1
    V
    GS
    = 4 V
    1
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    50
    脉冲测试
    V
    GS
    = 10 V
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    20
    脉冲测试
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    16
    20
    10
    5
    12
    8
    4
    3A
    2A
    I
    D
    = 1 A
    2
    1.0
    0.5
    0.1
    15 V
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    10
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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