2SK1151 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1151
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 89 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1151 （L） 2SK1151 （S）， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

2.0

反向漏电流I

(A)

1.6

脉冲测试

1.2

0.8

0.4

5 V, 10 V

= 0, –10 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

(V)

归瞬态热阻抗

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

PUL

1.0

= 25°C

CH-C （吨） =

(t)

• θ

CH-C

CH-C = 6.25 ° C / W ，T

= 25°C

100

10 m

100 m

0.03

0.01

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

VOUT

Ω

VIN = 10 V

= 30 V

TD （上）

VIN

10 %

波形

90 %

10 %

90 %

TD （关闭）

10 %

Rev.2.00 2005年9月7日第5 7

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