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    2SK1151 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1151图片预览
    型号： 2SK1151
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 89 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK1151的Datasheet PDF文件第8页  
    2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
    主要特点
    功率与温度降额
    30
    10
    10
    最高安全工作区
    通道耗散P沟（W）的
    O
    AR元
    由EA在
    R是离子
    DS
    在LIM
    (o
    余吨
    n)
    他特德
    3
    漏电流I
    D
    (A)
    10
    0
    D
    µ
    s
    1
    µ
    s
    PW
    20
    1.0
    0.3
    0.1
    0.03
    C
    m
    s
    =
    O
    10
    m
    s
    TIO
    ra
    pe
    (1
    o
    Sh
    t)
    =
    25
    (T
    C
    n
    10
    °
    C
    )
    2SK1151
    TA = 25°C
    0
    50
    100
    150
    0.01
    1
    10
    2SK1152
    100
    1,000
    案例温度T
    C
    (°C)
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    2.0
    脉冲测试
    15 V
    2.0
    5V
    6V
    10 V
    4.5 V
    1.2
    典型的传输特性
    漏电流I
    D
    (A)
    漏电流I
    D
    (A)
    1.6
    1.6
    V
    DS
    = 20 V
    脉冲测试
    1.2
    0.8
    4V
    0.4
    V
    GS
    = 3.5 V
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0.8
    75°C
    0.4
    T
    C
    = 25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    –25°C
    漏极至源极电压V
    DS
    (V)
    漏极至源极饱和电压
    与门源电压
    漏极至源极饱和电压
    V
    DS （ ON）
    (V)
    20
    脉冲测试
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    静态漏源导通状态
    电阻与漏极电流
    100
    50
    脉冲测试
    V
    GS
    = 10 V
    16
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    12
    2A
    8
    1A
    I
    D
    = 0.5 A
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    20
    10
    5
    15 V
    4
    2
    1
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    栅极至源极电压V
    GS
    (V)
    漏电流I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

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