2SK1151 （L） 2SK1151 （S） ， 2SK1152 （L） 2SK1152 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
通态电阻，静态漏源
R
DS （ ON）
(Ω)
10
I
D
= 2 A
8
V
GS
= 10 V
脉冲测试
正向转移导纳
y
fs
(S)
正向转移导纳
与漏电流
5
2
1.0
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
75°C
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
6
1A
0.5 A
4
2
0
–40
0
40
80
120
160
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
1,000
1,000
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
典型电容
与漏极至源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
西塞
100
科斯
10
反向恢复时间trr （ NS ）
500
200
100
50
20
10
0.05
1
0
10
电容C （PF ）
CRSS
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
20
100
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
PW = 2
µs,
值班< 1 ％
•
•
漏极至源极电压V
DS
(V)
100 V
250 V
400
V
DS
400 V
16
50
开关时间t（ NS ）
t
D（关闭）
20
t
f
10
5
t
D（上）
t
r
2
1
0.05
300
V
GS
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
2
4
6
I
D
= 1.5 A
12
8
100
4
0
8
0
10
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
