2SK1058 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1058
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小：	6 页 / 72 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1056 ， 2SK1057 ， 2SK1058

输入电容与门

源极电压

正向转移导纳

与频率的关系

正向转移导纳

y



(S)

1000

3.0

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

10 k

= 25°C

= 10 V

= 2 A

输入电容西塞（PF ）

500

200

= 10 V

F = 1 MHz的

100

–2

–4

–6

–8

–10

30 k 100 k

300K的1M的

10 M

栅极至源极电压V

(V)

频率f（赫兹）

开关时间与漏电流

500

开关时间吨，花花公子（ NS ）

200

100

吨

花花公子

0.1

0.2

0.5

1.0

漏电流I

(A)

开关时间测试电路

产量

= 2

Ω

输入

10 %

PW = 50

µs

占空比

=1%

Ω

20 V

产量

波形

90 %

关闭

10 %

90 %

Rev.2.00 2005年9月7日第4

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