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2SK1058 参数 Datasheet PDF下载

2SK1058图片预览
型号: 2SK1058
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 72 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1056 , 2SK1057 , 2SK1058
主要特点
功率与温度降额
150
20
最高安全工作区
TA = 25°C
通道耗散P沟(W)的
漏电流I
D
(A)
100
50
I
ð MAX
(连续)
PW
PW
5
PW
=
= 10
10
m
=
0
s
1
m
1
s
s
sh
1
2
1
ot
sh
sh
ot
ot
1.0
10
D
C
pe
O
ra
吨IO
n
(T
C
=
25
)
°
C
0.5
2SK1056
0
50
100
150
0.2
5
2SK1057
2SK1058
500
10
20
50
100 200
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
1.0
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
–2
0.4
0.8
1.2
8
6
7
6
5
4
0.6
4
0.4
PCH =
3
100 W
2
1
0
2
0.2
0
10
20
30
40
50
0
T
C
=
1.6
25
75
2.0
V
GS
= 10 V
9
8
0.8
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏极至源极饱和
电压与漏电流
漏极至源极电压 -
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
5
V
GD
= 0
25
°
C
T
C
2
1.0
0.5
2
=–
C
5
°
漏极至源极电压V
DS
(V)
10
°
C
75
10
8
T
C
= 25
°
C
6
5A
4
0.2
0.1
0.1
2
0.2
0.5 1.0
2
5
10
0
2
4
6
5
°
C
2A
I
D
= 1 A
8
10
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 10 V
漏电流I
D
(A)
栅极至源极电压V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5