欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1058 参数 Datasheet PDF下载

2SK1058图片预览
型号: 2SK1058
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 72 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
 浏览型号2SK1058的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1058的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1058的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1058的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1058的Datasheet PDF文件第6页  
2SK1056 , 2SK1057 , 2SK1058
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
2SK1056
2SK1057
2SK1058
栅极至源极电压
漏电流
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25
°
C
V
GSS
I
D
I
DR
1
PCH *
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSX
评级
120
140
160
±15
7
7
100
150
-55到+150
V
A
A
W
单位
V
°
C
°
C
电气特性
( TA = 25°C )
漏极至源极
击穿电压
2SK1056
2SK1057
2SK1058
V
( BR ) GSS
V
GS ( OFF )
V
DS ( SAT )
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
on
t
关闭
符号
V
( BR ) DSX
120
140
160
±15
0.15
0.7
1.0
600
350
10
180
60
1.45
12
1.4
V
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
I
D
= 100毫安, V
DS
= 10 V
I
D
= 7 A,V
GD
= 0 *
2
I
D
= 3 A,V
DS
= 10 V *
V
GS
= –5 V, V
DS
= 10 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 20 V,I
D
= 4 A
2
典型值
最大
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时, V
GS
= –10 V
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极饱和电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
注意:
2.脉冲测试
Rev.2.00 2005年9月7日第2页5