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2SJ471 参数 Datasheet PDF下载

2SJ471图片预览
型号: 2SJ471
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内容描述: 硅P通道DV -L MOS FET [Silicon P Channel DV-L MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SJ471
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–50
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–40
10 V
–30
5 V
–20
V
GS
= 0, 5 V
–10
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒( t)的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
1
0.0
θch
- C (T ) =
γ
S( T) •
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ,TC = 25°C
P
DM
p
ot
UL s
e
D=
PW
T
0.03
PW
T
1s
h
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW (S )
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
10 V
50
V
DD
= –10 V
VOUT
TD (上)
10%
tr
TD (关闭)
10%
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6