2SJ471 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ471
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内容描述：	硅P通道DV -L MOS FET [Silicon P Channel DV-L MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小：	7 页 / 83 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SJ471

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

0.10

脉冲测试

0.08

= –20 A

0.06

= –4 V

0.04

–5 A, –10 A, –20 A

–10 V

–40

120

160

–5 A, –10 A

TC = -25°C

0.5

0.2

0.1

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

= –10 V

脉冲测试

–5 –10 –20 –50

75°C

25°C

0.02

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

5000

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

的di / dt = 50A /

µs

= 0 ， TA = 25℃

–5 –10 –20 –50

电容C （PF ）

2000

1000

500

西塞

科斯

CRSS

200

100

= 0

F = 1 MHz的

–4

–8

–12

–16

–20

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–10

–4

开关时间t（ NS ）

= –5 V

–10 V

–25 V

= –30 A

(V)

1000

500

TD （关闭）

200

100

TD （上）

= –10 V, V

= –10 V

税

≤

1 %

–5 –10 –20

–50

漏源极电压

–20

= –25 V

–10 V

–5 V

–8

–30

–12

–40

–16

–50

–20

栅极至源极电压

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

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