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    2SJ471 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ471图片预览
    型号： 2SJ471
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P通道DV -L MOS FET [Silicon P Channel DV-L MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 83 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ471的Datasheet PDF文件第7页  
    2SJ471
    主要特点
    功率与温度降额
    40
    –500
    –200
    最高安全工作区
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    10
    µs
    )
    ot
    µ
    s
    sh
    s
    0
    1
    m
    10
    s(
    m
    30
    –100
    –50
    PW
    散热通道
    1
    漏电流
    20
    –20
    DC
    =
    10
    –10
    –5
    –2
    –1
    10
    操作
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    n
    TIO
    ra
    pe
    O
    c=
    (T
    )
    °C
    25
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    TA = 25°C
    –0.5
    –0.1 –0.3
    –1
    –3
    –10
    –30
    –100
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –10 V
    –6 V
    典型的传输特性
    –50
    –50
    脉冲测试
    –5 V
    –4.5 V
    –4 V
    TC = -25°C
    –3.5 V
    I
    D
    (A)
    –40
    I
    D
    (A)
    –40
    25°C
    –30
    75°C
    –30
    漏电流
    –3 V
    –20
    V
    GS
    = –2.5 V
    漏电流
    –20
    –10
    –10
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    0
    0
    –1
    –2
    –3
    –4
    –5
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    –1.0
    脉冲测试
    –0.8
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    静态漏极至源极通态电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.5
    脉冲测试
    0.2
    0.1
    0.05
    V
    GS
    = –4 V
    –0.6
    I
    D
    = –20 A
    –0.4
    –10 A
    –0.2
    –5 A
    0.02
    0.01
    –1
    –10 V
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    –2
    –5
    –10
    –20
    –50
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

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