2SJ319 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ319
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 87 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SJ319 （L） 2SJ319 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

(Ω)

TC = -25°C

–2 A

= –5 A

25°C

75°C

0.5

–1 A

0.2

= –10 V

脉冲测试

0.1

–0.05 –0.1 –0.2

–0.5 –1

–2

–5

–10

= –10 V

脉冲测试

120

160

–40

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

1000

500

西塞

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

200

100

10 V = 0

F = 1 MHz的

–10

CRSS

科斯

的di / dt = 50A /

µs,

= 0

税

≤

1 ％， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–0.05 –0.1 –0.2

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–100

开关时间t（ NS ）

= –50 V

–100 V

–150 V

(V)

500

= –10 V, V

= –30 V

PW = 2

µs,

税

≤

1 %

200

100

TD （关闭）

–0.05 –0.1 –0.2

–4

漏源极电压

–200

–300

–400

= –150 V

–100 V

–50 V

–8

–12

栅极至源极电压

–16

TD （上）

–500

–20

–0.5 –1

–2

–5

–10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 7

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案