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2SJ319 参数 Datasheet PDF下载

2SJ319图片预览
型号: 2SJ319
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内容描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 87 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SJ319 (L) 2SJ319 (S)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项: 1, PW
10
µs,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
–200
±20
–3
–12
–3
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
TSTG
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
–200
±20
–2.0
1.0
典型值
1.7
1.7
330
130
25
10
30
40
30
–1.15
180
最大
±10
–100
–4.0
2.3
单位
V
V
µA
µA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 µA,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –160 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安,V
DS
= –10 V
I
D
= -2 A ,V
GS
= –10 V
注3
I
D
= -2 A ,V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= –2 A
V
GS
= –10 V
R
L
= 15
I
F
= -3 A ,V
GS
= 0
I
F
= -3 A ,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 7