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    2SJ319 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ319图片预览
    型号： 2SJ319
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道MOS场效应晶体管 [Silicon P Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 87 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SJ319的Datasheet PDF文件第8页  
    2SJ319 （L） 2SJ319 （S）
    主要特点
    功率与温度降额
    20
    最高安全工作区
    –50
    –30
    P沟（W）的
    I
    D
    (A)
    15
    –10
    10
    –3
    10
    散热通道
    0
    µ
    s
    漏电流
    10
    –1
    –0.3
    –0.1
    05
    m
    s
    10
    Op
    m
    s(
    er
    ATI
    1s
    on
    ho
    (T
    t)
    操作
    c=
    这个区域是
    25
    °C
    限于由R
    DS （ ON）
    )
    TA = 25°C
    DC
    =
    –3
    –10
    –30
    –100 –300 –500
    PW
    1
    µ
    s
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    –0.05
    –1
    外壳温度
    TC （ ℃）
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    典型的输出特性
    –5
    –10 V
    脉冲测试
    –5
    –8 V
    –6 V
    典型的传输特性
    TC = -25°C
    I
    D
    (A)
    –4
    I
    D
    (A)
    –4
    25°C
    75°C
    –3
    漏电流
    漏电流
    –5 V
    –3
    –2
    –4 V
    V
    GS
    = –3.5 V
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    –2
    –1
    –1
    V
    DS
    = –10 V
    脉冲测试
    0
    0
    –2
    –4
    –6
    –8
    –10
    漏源极电压
    V
    DS
    (V)
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏极至源极饱和电压V
    DS （ ON）
    (V)
    漏极至源极饱和电压与
    栅极至源极电压
    脉冲测试
    –16
    静态漏极至源极通态电阻
    与漏电流
    漏极至源极导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    –20
    10
    5
    V
    GS
    = –10 V
    脉冲测试
    –12
    I
    D
    = –5 A
    –8
    –2 A
    –1 A
    0
    0
    –4
    –8
    –12
    –16
    –20
    2
    1
    0.5
    –4
    0.2
    0.1
    –0.2
    –0.5
    –1
    –2
    –5
    –10
    栅极至源极电压
    V
    GS
    (V)
    漏电流
    I
    D
    (A)
    Rev.2.00 2005年9月7日第3页7

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