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    2SC4226-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4226-T1-A图片预览
    型号： 2SC4226-T1-A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold [NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管ISM频段放大器
    文件页数/大小： 8 页 / 149 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC4226-T1-A的Datasheet PDF文件第8页  
    2SC4226
    典型特征（T
    A
    = + 25 ℃，除非另有规定）
    总功耗
    - 环境温度
    反向传输电容C
    re
    （PF ）
    反向传输电容
    与集电极 - 基极电压
    5
    F = 1 MHz的
    2
    1
    0.5
    250
    总功耗P
    合计
    （ mW）的
    自由的空气
    200
    150
    100
    50
    0.2
    0.1
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    环境温度T
    A
    (˚C)
    集电极基极电压V
    CB
    (V)
    集电极电流主场迎战
    基地发射极电压
    20
    V
    CE
    = 3 V
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流主场迎战
    集电极到发射极电压
    25
    μ
    A
    160
    140
    μ
    A
    20
    120
    100
    μ
    A
    15
    μ
    A
    10
    80
    μ
    A
    10
    60
    μ
    A
    40
    μ
    A
    5
    I
    B
    = 20
    μ
    A
    5
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    10
    0
    0.5
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    1
    0
    直流电流增益主场迎战
    集电极电流
    200
    增益带宽乘积F
    T
    （千兆赫）
    增益带宽积
    与集电极电流
    20
    V
    CE
    = 3 V
    F = 1 GHz的
    V
    CE
    = 3 V
    100
    直流电流增益ħ
    FE
    10
    50
    5
    20
    2
    10
    0.5
    1
    5
    10
    50
    1
    0.5
    1
    5
    10
    50
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    备注
    该图表显示的标称特性。
    R09DS0022EJ0200 Rev.2.00
    2011年6月29日
    第3页6

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