2SC4226-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC4226-T1-A
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内容描述：	NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold [NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小：	8 页 / 149 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SC4226

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

增益带宽积

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

⏐S

21e

⏐

注2

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 10 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 3 V，I

= 7毫安

−

110

1.0

250

–

= 3 V，I

= 7毫安

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

= 3 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

3.0

−

4.5

1.2

0.7

–

2.5

1.5

GHz的

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容，当发射器接地

<R>

分类

秩

记号

价值

R23/Y23

R23

40至80

R24/Y24

R24

70至140

R25/Y25

R25

125至250

R09DS0022EJ0200 Rev.2.00

2011年6月29日

第2 6

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