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2SC4226-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4226-T1-A
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内容描述: NPN硅射频晶体管NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold [NPN Silicon RF Transistor NPN Epitaxial Silicon RF Transistor for High-Frequency Low-Noise Amplification 3-pin super Minimold]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小: 8 页 / 149 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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PreliminaryData
2SC4226
R09DS0022EJ0200
NPN硅晶体管RF
Rev.2.00
2011年6月29日
NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3针超级Minimold
描述
该2SC4226是一个低电源电压的晶体管设计为VHF,UHF低噪声放大器。
由于晶体管已经施加3针超级minimold它适合于高密度的表面安装装配
封装。
特点
•低噪音: NF = 1.2 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
·高增益:
⏐S
21e
2
= 9 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
• 3引脚超minimold包
<R>
订购信息
产品型号
2SC4226
2SC4226-T1
订单号
2SC4226-A
2SC4226-T1-A
3引脚超
Minimold
(无铅)
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
供给方式
•8毫米宽压纹带卷
•引脚3(集电极)面对带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
20
12
3
100
150
150
−65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
自由的空气
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场:修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0022EJ0200 Rev.2.00
2011年6月29日
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