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2SC2619 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC2619
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 193 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SC2619
输入/输出导纳主场迎战
集电极电流
转移导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 10.7兆赫
200
100
g
ie
g
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相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
I
C
= 1毫安
F = 10.7兆赫
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5
集电极电流I
C
(MA )
转移导纳主场迎战
集电极电流
集电极到发射极电压V
CE
(V)
输入/输出导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
500
V
CE
= 6 V
F = 10.7兆赫
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相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
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I
C
= 1毫安
F = 100 MHz的
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2
5
集电极电流I
C
(MA )
输入/输出导纳主场迎战
集电极电流
集电极到发射极电压V
CE
(V)
转移导纳主场迎战
集电极到发射极电压
相对的百分比来我
C
= 1 MA( % )
相对于V的百分比
CE
= 6 V (%)
500
V
CE
= 6 V
F = 100 MHz的
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C
= 1毫安
F = 100 MHz的
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集电极电流I
C
(MA )
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第6 8