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    2SC2619 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2619图片预览
    型号： 2SC2619
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 193 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SC2619的Datasheet PDF文件第9页  
    2SC2619
    增益带宽积主场迎战
    集电极电流
    增益带宽乘积F
    T
    （兆赫）
    500
    V
    CE
    = 6 V
    噪声系数与信号源电阻
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    10
    20
    50
    100
    200
    500 1000
    V
    CE
    = 6 V
    I
    C
    = 1毫安
    F = 100 MHz的
    噪声系数NF （ dB）的
    400
    300
    200
    100
    0
    0.1
    0.3
    1.0
    3
    10
    30
    信号源电阻R
    g
    (Ω)
    增益带宽积主场迎战
    集电极到发射极电压
    增益带宽乘积F
    T
    （兆赫）
    400
    I
    C
    = 1毫安
    300
    集电极电流Ic （ mA）的
    输入/输出导纳主场迎战
    集电极到发射极电压
    相对于V的百分比
    CE
    = 6 V (%)
    500
    b
    oe
    g
    oe
    g
    ie
    g
    oe
    b
    ie
    b
    oe
    I
    C
    = 1毫安
    F = 455千赫
    200
    b
    ie
    g
    ie
    100
    50
    200
    100
    20
    10
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    0
    1
    2
    5
    10
    20
    集电极到发射极Volgage V
    CE
    (V)
    输入/输出导纳主场迎战
    集电极电流
    相对于V的百分比
    CE
    = 6 V (%)
    相对的百分比来我
    E
    = 1 MA（ ％ ）
    500
    V
    CE
    = 6 V
    F = 455千赫
    200
    b
    ie
    100
    b
    oe
    50
    b
    ie
    g
    ie
    20
    10
    0.1
    g
    oe
    0.2
    0.5
    1.0
    2
    5
    b
    oe
    g
    ie
    g
    oe
    500
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    转移导纳主场迎战
    集电极到发射极电压
    I
    C
    = 1毫安
    F = 455千赫
    200
    b
    fe
    100 g
    fe
    50
    b
    re
    g
    fe
    b
    fe
    b
    re
    20
    10
    1
    2
    5
    10
    20
    50
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    Rev.2.00 2005年8月10日第4页8

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