2SC2619 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC2619
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内容描述：	NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 193 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SC2619

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极电压

增益带宽积

集电极输出电容

噪声系数

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

民

—

典型值

—

230

—

5.0

最大

—

0.5

200

1.1

0.75

—

3.5

—

单位

µA

兆赫

测试条件

= 10

µA,

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

µA,

= 0

= 20 V，I

= 0

= 2 V，I

= 0

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 6 V，I

= 2毫安，

F = 1 MHz时，R

= 500

Ω

注： 1， 2SC2619为h分组

如下。

GRADE

标志

60至120

100至200

Rev.2.00 2005年8月10日第2页8

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