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    R1LV0408CSB-5SC 参数 Datasheet PDF下载

    R1LV0408CSB-5SC图片预览
    型号： R1LV0408CSB-5SC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M SRAM （ 512千字×8位） [4M SRAM (512-kword X 8-bit)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 94 K
    品牌： RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
     浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第11页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第12页浏览型号R1LV0408CSB-5SC的Datasheet PDF文件第14页  
    Revision History  
    R1LV0408C-C Series Data Sheet  
    Rev. Date  
    Contents of Modification  
    Page Description  
    1.00 Jul. 24, 2003  
    2.00 May. 25, 2004  
    Initial issue  
    1
    Features  
    Standby: 2.4 µW (typ) to 1.5 µW (typ)  
    5
    5
    Absolute Maximum Ratings  
    Notes 2 : +7.0 V to +4.6 V  
    DC Operating Conditions  
    VIHmin 2.0 V to 2.2 V  
    VILmax 0.8 V to 0.6 V  
    6
    DC characteristics  
    −5SC and −7LC items’ description are divided.  
    12  
    12  
    Low VCC Data Retention Characteristics  
    −5SC and −7LC items’ description are divided.  
    Low VCC Data Retention Timing Waveform  
    4.5 V to 2.7 V  
    2.4 V to 2.2 V  

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