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R1LV0408CSB-5SC 参数 Datasheet PDF下载

R1LV0408CSB-5SC图片预览
型号: R1LV0408CSB-5SC
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内容描述: 4M SRAM ( 512千字×8位) [4M SRAM (512-kword X 8-bit)]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 94 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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R1LV0408C-C Series  
AC Characteristics  
(Ta = 20 to +70°C, VCC = 2.7 V to 3.6 V, unless otherwise noted.)  
Test Conditions  
Input pulse levels: VIL = 0.4 V, VIH = 2.4 V  
Input rise and fall time: 5 ns  
Input and output timing reference levels: 1.5 V  
Output load: 1 TTL Gate + CL (50 pF) (R1LV0408C-5SC)  
1 TTL Gate + CL (100 pF) (R1LV0408C-7LC)  
(Including scope and jig)  
Read Cycle  
R1LV0408C-C  
-5SC  
-7LC  
Min  
70  
10  
5
Parameter  
Symbol  
tRC  
Min  
55  
10  
5
Max  
Max  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Notes  
Read cycle time  
Address access time  
tAA  
55  
55  
30  
70  
70  
35  
Chip select access time  
tCO  
Output enable to output valid  
Chip select to output in low-Z  
Output enable to output in low-Z  
Chip deselect to output in high-Z  
Output disable to output in high-Z  
Output hold from address change  
tOE  
tLZ  
2
tOLZ  
tHZ  
tOHZ  
tOH  
2
0
20  
20  
0
25  
25  
1, 2  
1, 2  
0
0
10  
10  
Rev.2.00, May.25.2004, page 7 of 12  
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