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HAT2164H-EL-E 参数 Datasheet PDF下载

HAT2164H-EL-E图片预览
型号: HAT2164H-EL-E
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内容描述: 硅N通道功率MOS FET电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
文件页数/大小: 8 页 / 90 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2164H
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
100
Reverse Drain Current I
DR
(A)
(mJ)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
100
80
60
40
20
0
25
I
AP
= 30 A
V
DD
= 15 V
duty < 0.1 %
Rg
50
80
60
40
20
10 V
5V
V
GS
= 0
Pulse Test
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
SD
2.0
(V)
Repetitive Avalanche Energy E
AR
50
75
100
125
150
Source to Drain Voltage
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized Transient Thermal Impedance
γs
(t)
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
θch
- c(t) =
γs
(t)
• θch
- c
θch
- c = 4.17°C/ W, Tc = 25°C
P
DM
u
tp
lse
0.05
0.03
0.02
1
0.0
1s
D=
PW
T
PW
T
ho
0.01
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
1
2
L
I
AP2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
(BR)DSS
I
AP
V
DD
V
DS
V
DS
Monitor
L
I
AP
Monitor
E
AR
=
Rg
D. U. T
I
D
Vin
15 V
50
0
V
DD
Rev.5.00 Sep 26, 2005 page 5 of 7