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HAT2114RJ 参数 Datasheet PDF下载

HAT2114RJ图片预览
型号: HAT2114RJ
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 开关电源开关
文件页数/大小: 10 页 / 109 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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HAT2114R, HAT2114RJ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
Normalized Transient Thermal Impedance
γs
(t)
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
h
1s
o
u
tp
lse
θch-f(t)
=
γs
(t)
• θch
- f
θch-f
= 125°C/W, Ta = 25°C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6mm)
PDM
PW
T
D=
PW
T
0.0001
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
Normalized Transient Thermal Impedance
γs
(t)
10
1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
θch-f(t)
=
γs
(t)
• θch
- f
θch-f
= 166°C/W, Ta = 25°C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6mm)
e
PDM
PW
T
0.001
1s
ho
uls
tp
D=
PW
T
0.0001
10
µ
100
µ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
Pulse Width PW (S)
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 8 of 9