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2SK3147L-E 参数 Datasheet PDF下载

2SK3147L-E图片预览
型号: 2SK3147L-E
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内容描述: 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
文件页数/大小: 9 页 / 94 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK3147(L), 2SK3147(S)  
Main Characteristics  
Power vs. Temperature Derating  
Maximum Safe Operation Area  
50  
20  
40  
30  
20  
10  
10  
5
2
1
Operation in  
this area is  
limited by R  
DS(on)  
0.5  
0.2  
0.1  
Ta = 25°C  
0
1
2
5
10 20 50 100 200  
500  
50  
100  
150  
200  
Case Temperature TC (°C)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Typical Output Characteristics  
Typical Transfer Characteristics  
10  
8
10  
8
10 V  
Pulse Test  
VDS = 10 V  
Pulse Test  
3.5 V  
6 V  
4 V  
6
6
3 V  
4
4
Tc = 75°C  
–25°C  
2
2
VGS =2.5 V  
25°C  
0
0
1
2
3
4
5
2
4
6
8
10  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain to Source Saturation Voltage  
vs. Gate to Source Voltage  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Drain Current  
0.5  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
Pulse Test  
Pulse Test  
0.2  
0.1  
VGS = 4 V  
10 V  
0.05  
ID = 5 A  
0.02  
0.01  
2 A  
12  
1 A  
16  
0
4
8
20  
0.1 0.2 0.5  
1
2
5
10 20 50  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Drain Current ID (A)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 8  
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