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2SK1933 参数 Datasheet PDF下载

2SK1933图片预览
型号: 2SK1933
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 82 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1933
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
10
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
8
6
4
2
V
GS
= 10 V
0, –5 V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
0.1
T
C
= 25°C
1.0
0.05
0.02
θch–c
(t) =
γ
S
(t) ·
θch–c
θch–c
= 0.83°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
se
0.03
0.01
1S
h
ul
ot P
T
100
µ
1m
10 m
100 m
PW
1
D = PW
T
0.01
10
µ
10
Pulse Width PW (S)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
50
Vin
10 V
Vin
Vout
10%
10%
Waveforms
90%
10%
90%
t
d (off)
V
DD
.
= 30 V
.
t
d (on)
90%
t
r
t
f
Rev.3.00 Apr 27, 2006 page 5 of 6