2SK1880 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1880
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内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 85 K
品牌：	RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]

2SK1880(L), 2SK1880(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Reverse Drain Current I

(A)

2.0

Pulse Test

1.6

1.2

0.8

0.4

= 10 V

0 V, –5 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

Source to Drain Voltage V

(V)

Normalized Transient Thermal Impedance

(t)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

D=1

Tc = 25°C

1.0

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

sho

Pul

0.03

0.01

ch – c(t) =

s(t)

• θ

ch – c

ch – c = 6.25°C / W. Tc = 25°C

D= T

0.01

100

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

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