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2SK1808 参数 Datasheet PDF下载

2SK1808图片预览
型号: 2SK1808
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N Channel MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 83 K
品牌: RENESAS [ RENESAS TECHNOLOGY CORP ]
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2SK1808  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
10  
8
Pulse Test  
6
4
2
5 V, 10 V  
0.4  
VGS = 0, –5 V  
0
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
D = 1  
0.5  
Tc = 25°C  
1.0  
0.3  
0.1  
0.2  
0.1  
θch – c(t) = γs(t) • θch – c  
θch – c = 3.57°C / W. Tc = 25°C  
0.05  
PW  
D =  
0.02  
0.01  
T
PDM  
0.03  
0.01  
PW  
1
T
1 shot Pulse  
µ
100  
100 m  
µ
10 m  
10  
10  
1 m  
Pulse Width PW (S)  
Switching Time Test Circuit  
Vin Monitor  
Waveforms  
90%  
Vout Monitor  
Vin  
10%  
10%  
D.U.T  
RL  
10%  
Vout  
50  
VDD  
= 30 V  
90%  
tr  
90%  
td (off)  
Vin  
10 V  
td (on)  
tf  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6